AlGaAs相关论文
量子通信作为一个新的研究领域,将信息论和量子论相结合,形成了依靠量子纠缠效应来传输信息的新通讯方式。半导体量子点在量子通信......
详细研究了温度和Al组分与AlGaAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的......
本文介绍了利用界面固定负电荷在MIP-AlGaAs中产生的感应势,并用于提高AlGaAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想.提出了分段计算求......
本文研究了超晶格等效法生长的AlGaAs薄层氧化特性,发现该类氧化层具有明显的各向异性,氧化孔呈椭圆形,氧化速率与氧化时间关系受......
Pure zinc blende structure GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires (NWs) are grown by metal organic chemical vapor d......
随着半导体纳米技术的发展，人们对于高度集成化光电器件的潜在需求不断增大，具备优越物理、化学性质的III-V族化合物半导体纳米线开......
本文研究了超晶格等效法生长的AlGaAs薄层氧化特性,发现该类氧化层具有明显的各向异性,氧化孔呈椭圆形,氧化速率与氧化时间关系受......
AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步.利用此项技术形成的氧化孔可实现器件的横向光、电限制,......
<正>1970年,Esaki和Lsu提出了半导体超晶格的概念,旨在获得一个全新物理范畴的电子性质.由于超晶格中电子态之间的耦合,导致微带形......
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面......
采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300......
研究了低温、平行磁场下两种ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱的量子干涉特性．两种样品的阱宽均为６０，但挚垒层厚度不同，分别为１２０和２０．实验结果表明，样品的电导随磁场呈......
本文报道１０×１６元二维面阵ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的研究进展．通过表面光栅耦合，采用垂直入射的工作模式，在Ｔ＝８０Ｋ时探测率为２．９×１０（１０）ｃｍ·Ｈｚ（１／２）／Ｗ，电压响应率为１．３×１０４Ｖ／Ｗ．各测......
对三种不同生长条件、不同质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱进行了输运性质和光致发光谱的研究．在低迁移率的样品中，界面粗糙度对二维电子气的散射起主......
测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异......
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器研究沈学础，陆卫（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文所作的研究包括：１．基本物理机制研究在理论上研究了子带间跃迁的基本物......
本文采用三角阱近似，计算了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）电子只占据基态子带时，由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质......
八十年代后期,贝尔实验室首先提出了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)结构的红外探测器,并报道了器件性能。近几年来,广泛开展了对量子阱......
在近红外光谱区工作的（0．76～1．0μm）的高功率二极管激光器已作为掺铒光纤放大器、Nd：YAG和Ho：YAG激光器的泵浦源使用。可购到的此波段二极......
半导体激光国际公司和相干公司都要从他们的半导体激光器中除去铝，以获得更高输出功率、更长寿命和更低造价的管子。这一技术将代替......
ＬｏｗＴｈｒｅｓｈｏｌｄＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤｏｕｂｌｅＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌＬａｓｅｒｓ￥ＸｕＺｕｎｔｕ（徐遵图），ＺｈａｎｇＪｉｎｇｍｉｎｇ（张敬明），ＹａｎｇＧｕｏｗｅｎ（杨国文），ＸｕＪｕｎｙｉｎｇ（徐俊英），ＸｉａｏＪｉａｎｗｅｉ（肖建伟...
LowThresholdGaAs / AlGaAsDoubleQuantumWellLasers ¥ XuZuntu, ZhangJingming, YangGuowe......
报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功......
The influence of interface states on a two-Dimensional Electron Gas (2DEG) in anAlGaAs/GaAs High Electron Mobility Trans......
介绍了一套用于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ集成电路的ＣＡＤ软件，它可完成ＨＢＴ的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对ＨＢＴ运算放大器进行了模拟，为电路的研制提供......
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实......
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态......
研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加，对实验......
本文分析了非对称法布里－伯罗腔（ＡＳＦＰ）调制特性，得出了反射率为零的条件．设计生长了常通和常关两种高对比度反射式调制器件，测量了它们的电调......
本文我们首次建立了δ掺杂AlGaAs／GaAs高电子迁移串晶体管（HEMT）的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性，根......
本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术．文中给出了实验方法，讨论了调制机理，指出即使纯的体材料表面未经不均匀......
报导了脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为９ｍＡ，典型值为１５ｍＡ，线性输出光功率大于１２０ｍＷ，微分量子效率典型值为６０％（镀高反......
利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接......
用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一．不同质量的材料在二维衍射......
By low-pressure metalorganic chemical vapor depostion (LP-MOCVD) system,InGaAs/AlGaAs graded-index separate-confinement ......
设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管......
在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中，靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰，且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心......
据《日经》3报道，日本东芝公司研制成功在14GHz下，增益ldB压缩时输出功率为43．2dBm（20．9W）的GaAsFET功率MMIC，电源电压十9V，增益为6．9dB，功率......
在ＳｉＢＪＴＥＭ模型基础上，对其直流参数进行了修正，使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的直流特性：电流增益不是常量和自热效应．计算机模拟值与实测值在中电流和较大电流......
采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。
The structure of AlGaAs / GaAs quantum well is......
Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的......
对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为......
